NTD2955T4G
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NTD2955
MMBF4393LT1G SOT23
2N7002ET1G
BSS84LT1G SOT23
CYUSB3014-BZXI BGA
TLV320AIC3104IRHBR
BQ25896RTWR WQFN24
EPM3128ATI100-10N TQFP100
SII9022ACNU QFN72
TLV61048DBVR SOT23-5
TLV320AIC3101
