SI1029X-T1-GE3
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Product Status
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
305mA，190mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SC-89（SOT-563F）
基本产品编号
SI1029
DG441DY-T1-E3
ACS733KLATR-20AB-T-H
ACS711KLCTR-25AB-T
STM32F030F4P6
STM8S003F3P6TR
