STF26NM60N
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh? II
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
STF26
ST623X-KIT/220
STA8135GA
STA9100MGA
STB75NF75T4
STD2HNK60Z
STD5N20LT4
