技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 1.2 A
Rds On - 漏-源電阻: 165 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: -
Vgs th - 門源門限電壓 : -
Qg - 閘極充電: -
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
產品類型: MOSFET
3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3
每件重量: 7.500 mg
