FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 11A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
407 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
