產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極-發射極最大電壓VCEO: 1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓: 1.75 V
柵射極漏電電流: 100 nA
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 175 C
封裝: Tray
品牌: Infineon Technologies
柵極發射機最大電壓: 20 V
安裝風格: Chassis Mount
產品類型: IGBT Modules
系列: FFXR12KX7H
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子類別: IGBTs
技術: IGBT7 - E7
零件號別名: FF800R12KE7 SP005432766
