技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 106 A
Rds On - 漏-源電阻: 28.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.3 V
Qg - 閘極充電: 164 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 395 W
通道模式: Enhancement
系列: NTBG025N065SC1
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 8 ns
互導 - 最小值: 27 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 32 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
